Отправить сообщение
продукты
Подробная информация о продукции
Домой > продукты >
976нм 3В Длин волны-стабилизировало соединенный волокном лазер диода

976нм 3В Длин волны-стабилизировало соединенный волокном лазер диода

МОК: 1 Piece / Pieces
Срок доставки: 4-8weeks
Метод оплаты: T/T
Пропускная способность: 100 000/год
Подробная информация
Место происхождения
Китай
Фирменное наименование
BWT
Сертификация
ISO9001
Номер модели
К976АБ2РН-3.000В
Сила выхода:
Длина волны:
976нм
Диаметр жгута оптического волокна:
105µм
Численная апертура:
0.22НА
Применение:
Нагнетать лазера, научный, медицинское использование
Количество мин заказа:
1 Piece / Pieces
Время доставки:
4-8weeks
Условия оплаты:
T/T
Поставка способности:
100 000/год
High Light:

высокая мощность лазерного диода модуль

,

модули лазерного диода

Описание продукта

Особенности:

длина волны 976нм

сила выхода 3В

диаметр ядра волокна 105µм

0.22Н.А.

Узкое △λ ≤0.7нм ширины полосы частот

предохранение от обратной связи 1020нм-1200нм

 

Применения:

Нагнетать лазера волокна

 

 

Спецификации (25℃)

 

Символ

 

Блок

 

К976АБ2РН-3.000В
Минимум Типичный Максимум
Оптически данные Сила КВ-выхода По В 3 - -
Разбивочная длина волны λк нм 976±0.5
Спектральная ширина (ФВХМ) △λ нм <0.7
Перенос длины волны с температурой △λ/△Т нм/℃ - 0,02 -
Перенос длины волны с течением △λ/△А нм/А - 0,03 -
Электрические данные Электрическ-к-оптически эффективность ПЭ %   50 -
Течение порога лтх А - 0,9 -
Рабочий ток сокращайте А - 4 5
Рабочий потенциал Воп В - 1,6 1,8
Эффективность наклона η В/А - 1 -

Данные по волокна

 

Диаметр ядра Дкоре μм - 105 -
Диаметр плакирования Дклад μм - 125 -
Диаметр буфера Дбуф μм - 245 -
Численная апертура НА НА - 0,22 -
Длина волокна Лф м - 1 -
Диаметр трубопровода волокна свободный - μм ПВК 15км 0.9мм
Минимальный радиус загиба - мм 50 - -
Прекращение волокна - - - Никакие -
Изоляция обратной связи Длина волны заднего отражения λ нм 1020-1200
Изоляция заднего отражения - дБ - 30 -
Другие ЭСД Весд В - - 500
Температура хранения Цт -40 - 70
Темп руководства паяя Тльс - - 260
Время руководства паяя т сек - - 10
Работая температура случая Верхняя часть 20 - 30
Относительная влажность РХ % 15 - 85
Рекомендуемые продукты
продукты
Подробная информация о продукции
976нм 3В Длин волны-стабилизировало соединенный волокном лазер диода
МОК: 1 Piece / Pieces
Срок доставки: 4-8weeks
Метод оплаты: T/T
Пропускная способность: 100 000/год
Подробная информация
Место происхождения
Китай
Фирменное наименование
BWT
Сертификация
ISO9001
Номер модели
К976АБ2РН-3.000В
Сила выхода:
Длина волны:
976нм
Диаметр жгута оптического волокна:
105µм
Численная апертура:
0.22НА
Применение:
Нагнетать лазера, научный, медицинское использование
Количество мин заказа:
1 Piece / Pieces
Время доставки:
4-8weeks
Условия оплаты:
T/T
Поставка способности:
100 000/год
High Light

высокая мощность лазерного диода модуль

,

модули лазерного диода

Описание продукта

Особенности:

длина волны 976нм

сила выхода 3В

диаметр ядра волокна 105µм

0.22Н.А.

Узкое △λ ≤0.7нм ширины полосы частот

предохранение от обратной связи 1020нм-1200нм

 

Применения:

Нагнетать лазера волокна

 

 

Спецификации (25℃)

 

Символ

 

Блок

 

К976АБ2РН-3.000В
Минимум Типичный Максимум
Оптически данные Сила КВ-выхода По В 3 - -
Разбивочная длина волны λк нм 976±0.5
Спектральная ширина (ФВХМ) △λ нм <0.7
Перенос длины волны с температурой △λ/△Т нм/℃ - 0,02 -
Перенос длины волны с течением △λ/△А нм/А - 0,03 -
Электрические данные Электрическ-к-оптически эффективность ПЭ %   50 -
Течение порога лтх А - 0,9 -
Рабочий ток сокращайте А - 4 5
Рабочий потенциал Воп В - 1,6 1,8
Эффективность наклона η В/А - 1 -

Данные по волокна

 

Диаметр ядра Дкоре μм - 105 -
Диаметр плакирования Дклад μм - 125 -
Диаметр буфера Дбуф μм - 245 -
Численная апертура НА НА - 0,22 -
Длина волокна Лф м - 1 -
Диаметр трубопровода волокна свободный - μм ПВК 15км 0.9мм
Минимальный радиус загиба - мм 50 - -
Прекращение волокна - - - Никакие -
Изоляция обратной связи Длина волны заднего отражения λ нм 1020-1200
Изоляция заднего отражения - дБ - 30 -
Другие ЭСД Весд В - - 500
Температура хранения Цт -40 - 70
Темп руководства паяя Тльс - - 260
Время руководства паяя т сек - - 10
Работая температура случая Верхняя часть 20 - 30
Относительная влажность РХ % 15 - 85
Карта сайта |  Политика конфиденциальности | Китай хорошо. Качество диод лазерный модуль Доставщик. 2010-2024 bwt-laser.com . Все Зарезервированные права.