Отправить сообщение
продукты
Подробная информация о продукции
Домой > продукты >
976нм 140В Длин волны-стабилизировало лазер диода наивысшей мощности соединенный волокном

976нм 140В Длин волны-стабилизировало лазер диода наивысшей мощности соединенный волокном

МОК: 1 Piece / Pieces
Срок доставки: 4-8weeks
Метод оплаты: T/T
Пропускная способность: 100 000/год
Подробная информация
Место происхождения
Китай
Фирменное наименование
BWT
Сертификация
ISO9001
Номер модели
K976BN1RN-140.0W (опционный продукт)
Название продукта:
модуль лазера 976нм
Сила выхода:
140В
Длина волны:
976нм
Диаметр жгута оптического волокна:
106.5µм
Численная апертура:
0.22Н.А
Применение:
Нагнетать лазера
Количество мин заказа:
1 Piece / Pieces
Время доставки:
4-8weeks
Условия оплаты:
T/T
Поставка способности:
100 000/год
High Light:

большой мощности лазерные диоды

,

высокая мощность лазерного диода модуль

Описание продукта

Особенности:

длина волны 976нм

сила выхода 140В

диаметр ядра волокна 106.5µм

0.22Н.А.

предохранение от обратной связи 1040нм-1200нм

 

Применения:

Нагнетать лазера волокна

 

Спецификации (25℃)

 

Символ

 

Блок

 

К976БН1РН-140.0В
Минимум Типичный Максимум
Оптически данные Сила КВ-выхода По В 140 - -
Разбивочная длина волны λк нм 976±1
Спектральная ширина (ФВХМ) △λ нм <1
Ряд длины волны запертый - А (Иоп-2) | Иоп
Перенос длины волны с температурой △λ/△Т нм/℃ - 0,02 -
Перенос длины волны с течением △λ/△А нм/А - 0,03 -
Электрические данные Электрическ-к-оптически эффективность ПЭ %   45 -
Течение порога лтх А - 0,9 -
Рабочий ток сокращайте А - 13,2 14
Рабочий потенциал Воп В - 22,4 23,8
Эффективность наклона η В/А - 11 -

Данные по волокна

 

Диаметр ядра Дкоре μм - 106,5 -
Диаметр плакирования Дклад μм - 125 -
Численная апертура НА НА - 0,22 -
Длина волокна Лф м - 2 -
Диаметр трубопровода волокна свободный - μм 0.9ммПТФЭ/180км
Минимальный радиус загиба - мм 50 - -
Прекращение волокна - - - Никакие -
Изоляция обратной связи Длина волны заднего отражения λ нм 1040-1200
Изоляция заднего отражения - дБ - 30 -
Другие ЭСД Весд В - - 500
Температура хранения Цт -20 - 70
Темп руководства паяя Тльс - - 260
Время руководства паяя т сек - - 10
Работая температура случая Верхняя часть 25 - 30
Относительная влажность РХ % 15 - 75
 
Рекомендуемые продукты
продукты
Подробная информация о продукции
976нм 140В Длин волны-стабилизировало лазер диода наивысшей мощности соединенный волокном
МОК: 1 Piece / Pieces
Срок доставки: 4-8weeks
Метод оплаты: T/T
Пропускная способность: 100 000/год
Подробная информация
Место происхождения
Китай
Фирменное наименование
BWT
Сертификация
ISO9001
Номер модели
K976BN1RN-140.0W (опционный продукт)
Название продукта:
модуль лазера 976нм
Сила выхода:
140В
Длина волны:
976нм
Диаметр жгута оптического волокна:
106.5µм
Численная апертура:
0.22Н.А
Применение:
Нагнетать лазера
Количество мин заказа:
1 Piece / Pieces
Время доставки:
4-8weeks
Условия оплаты:
T/T
Поставка способности:
100 000/год
High Light

большой мощности лазерные диоды

,

высокая мощность лазерного диода модуль

Описание продукта

Особенности:

длина волны 976нм

сила выхода 140В

диаметр ядра волокна 106.5µм

0.22Н.А.

предохранение от обратной связи 1040нм-1200нм

 

Применения:

Нагнетать лазера волокна

 

Спецификации (25℃)

 

Символ

 

Блок

 

К976БН1РН-140.0В
Минимум Типичный Максимум
Оптически данные Сила КВ-выхода По В 140 - -
Разбивочная длина волны λк нм 976±1
Спектральная ширина (ФВХМ) △λ нм <1
Ряд длины волны запертый - А (Иоп-2) | Иоп
Перенос длины волны с температурой △λ/△Т нм/℃ - 0,02 -
Перенос длины волны с течением △λ/△А нм/А - 0,03 -
Электрические данные Электрическ-к-оптически эффективность ПЭ %   45 -
Течение порога лтх А - 0,9 -
Рабочий ток сокращайте А - 13,2 14
Рабочий потенциал Воп В - 22,4 23,8
Эффективность наклона η В/А - 11 -

Данные по волокна

 

Диаметр ядра Дкоре μм - 106,5 -
Диаметр плакирования Дклад μм - 125 -
Численная апертура НА НА - 0,22 -
Длина волокна Лф м - 2 -
Диаметр трубопровода волокна свободный - μм 0.9ммПТФЭ/180км
Минимальный радиус загиба - мм 50 - -
Прекращение волокна - - - Никакие -
Изоляция обратной связи Длина волны заднего отражения λ нм 1040-1200
Изоляция заднего отражения - дБ - 30 -
Другие ЭСД Весд В - - 500
Температура хранения Цт -20 - 70
Темп руководства паяя Тльс - - 260
Время руководства паяя т сек - - 10
Работая температура случая Верхняя часть 25 - 30
Относительная влажность РХ % 15 - 75
 
Карта сайта |  Политика конфиденциальности | Китай хорошо. Качество диод лазерный модуль Доставщик. 2010-2024 bwt-laser.com . Все Зарезервированные права.