| Место происхождения: | Китай |
|---|---|
| Фирменное наименование: | BWT |
| Сертификация: | ISO9001 |
| Номер модели: | K793DA2RN-8.000W |
| Количество мин заказа: | 1 часть/часть |
| Время доставки: | 4-8weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 100,000/Year |
| Имя: | 793nm-8W | Длина волны: | 793nm |
|---|---|---|---|
| Сила выхода: | 8W | Диаметр ядра волокна: | 105μm |
| предохранение от обратной связи: | 1900-2100nm | Применения: | Источник насоса лазера волокна, научное исследование |
| Высокий свет: | лазерный диод наивысшей мощности 793nm соединенный волокном,лазерный диод наивысшей мощности bwt соединенный волокном,соединенный волокном лазер диода 8w |
||
793nm-8W
Особенности:
длина волны 793nm
сила выхода 8W
диаметр ядра волокна 105µm
0.22N.A.
предохранение от обратной связи 1900nm-2100nm
Применения:
Источник насоса лазера волокна
|
Спецификации (25℃)
|
Символ
|
Блок
|
K793DA2RN-8.000W | |||
| Минимум | Типичный | Максимум | ||||
| Оптически данные | Сила CW-выхода | Po | W | 8 | - | - |
| Разбивочная длина волны | λc | nm | 793±3 | |||
| Спектральная ширина (FWHM) | △λ | nm | - | 3 | 5 | |
| Перенос длины волны с температурой | △λ/△T | nm/℃ | - | 0,3 | - | |
| 0.15/0.22NA | - | % | 90 | - | - | |
| Электрические данные | Электрическ-к-оптически эффективность | PE | % | 45 | - | |
| Течение порога | lth | - | 5,0 | 5,5 | ||
| Рабочий ток | сокращайте | - | 1,0 | - | ||
| Рабочий потенциал | Vop | V | - | 3,6 | 4,0 | |
| Эффективность наклона | η | W/A | - | 2,0 | - | |
|
Данные по волокна
|
Диаметр ядра | Dcore | μm | - | 105 | - |
| Диаметр плакирования | Dclad | μm | - | 125 | - | |
| Численная апертура | NA | NA | - | 0,22 | - | |
| Длина волокна | Если | m | - | 1,0 | - | |
| Диаметр трубопровода волокна свободный | - | mm | 0.9mm | |||
| Минимальный радиус загиба | - | mm | 50 | - | - | |
| Прекращение волокна | - | - | - | Никакие | - | |
| Изоляция обратной связи | Длина волны заднего отражения | λ | nm | 1900-2100 | ||
| Изоляция заднего отражения | - | dB | - | 30 | - | |
| Другие | ESD | Vesd | V | - | - | 500 |
| Температура хранения | Tst | ℃ | -20 | - | 70 | |
| Temp руководства паяя | Tls | ℃ | - | - | 260 | |
| Приведите паяя время | t | sec | - | - | 10 | |
| Работая температура случая | Верхняя часть | ℃ | 15 | - | 35 | |
| Относительная влажность | RH | % | 15 | - | 75 | |
